基于GaN管芯的LS波段寬帶功率放大器的設(shè)計(jì)【轉(zhuǎn)發(fā)】
2017-08-07 by:CAE仿真在線 來(lái)源:互聯(lián)網(wǎng)

今日薦文
今日薦文的作者為中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第38研究所專家趙家敏,張瑞,安士全。本篇節(jié)選自論文《基于GaN管芯的LS波段寬帶功率放大器的設(shè)計(jì)》,發(fā)表于《中國(guó)電子科學(xué)研究院學(xué)報(bào)》第10卷第6期。下面和小編一起開(kāi)始學(xué)習(xí)吧~
引 言
微波功率放大器是雷達(dá)、衛(wèi)星、導(dǎo)航、通信、電子對(duì)抗等設(shè)備中重要的組成部分,功放的性能直接影響整個(gè)電子設(shè)備的性能。隨著科技的發(fā)展,要求功放輕質(zhì)化、小型化、超寬帶、高能量密度、高可靠性。TriQuint公司的TGF2023管芯由于價(jià)格低、頻帶寬(達(dá)18GHz)、輸出功率大等優(yōu)點(diǎn),具有很大的發(fā)展和應(yīng)用空間,但該系列管芯沒(méi)有對(duì)外公開(kāi)大信號(hào)模型和靜態(tài)I-V曲線,寬帶匹配電路設(shè)計(jì)相對(duì)復(fù)雜。
本文探討了一種寬帶功放的設(shè)計(jì)方法,利用小信號(hào)S參數(shù)法進(jìn)行管芯的輸入輸出阻抗匹配,設(shè)計(jì)了一款0.8-5G的寬帶功率放大器,并通過(guò)實(shí)物測(cè)試驗(yàn)證了設(shè)計(jì)方法的可行性。
1. 功放設(shè)計(jì)方法
微波器件在小信號(hào)工作時(shí),被認(rèn)為在線性狀態(tài),是一個(gè)線性網(wǎng)絡(luò);在大信號(hào)工作時(shí),工作在非線性狀態(tài),是一個(gè)非線性網(wǎng)絡(luò)。對(duì)于兩種工作狀態(tài),適用于不同的分析方法。
(1)小信號(hào)S參數(shù)法:小信號(hào)參數(shù)是入射波和反射波建立的一組線性關(guān)系,在微波電路中用來(lái)分析和描述網(wǎng)絡(luò)的輸入輸出特性。利用小信號(hào)參數(shù)進(jìn)行仿真,將電路視為一個(gè)四端口網(wǎng)絡(luò),在工作點(diǎn)上將電路線性化,通過(guò)特定的算法,分析出小信號(hào)增益、線性噪聲參數(shù)、傳輸阻抗等。
(2)非線性分析法:在得到器件的大信號(hào)模型的情況下,利用ADS(Advanced Design System)軟件中的諧波平衡仿真器,可以仿真出噪聲系數(shù)、飽和電平、三階交調(diào)、本振泄露、鏡像抑制、中頻抑制等參數(shù)。諧波平衡仿真器著眼于信號(hào)頻域特性,擅長(zhǎng)處理非線性電路的分析。
(3)負(fù)載牽引法:在沒(méi)有小信號(hào)參數(shù)和大信號(hào)模型的情況下,可以利用負(fù)載牽引設(shè)備,在滿足功率管均衡效率和功率下?tīng)恳鲚斎?、輸出阻?再進(jìn)行匹配電路設(shè)計(jì)。但該儀器價(jià)格比較昂貴,只有專業(yè)設(shè)計(jì)生產(chǎn)功率管子的廠家才會(huì)配備。除了高線性的功率放大器外,大部分的功放是工作在大信號(hào)狀態(tài)下的,屬于非線性器件。
一般而言,設(shè)計(jì)師應(yīng)該使用大信號(hào)模型進(jìn)行射頻電路設(shè)計(jì),但是在很多情況下,設(shè)計(jì)師很難得到大信號(hào)模型,器件廠商只提供了功率器件的小信號(hào)參數(shù)。采用小信號(hào)參數(shù),進(jìn)行功率器件的輸入輸出電路匹配設(shè)計(jì),以得到較高的增益和良好的駐波特性,后期對(duì)實(shí)物進(jìn)行調(diào)試,同樣可以得到性能良好的功放電路。
2. 小信號(hào)S參數(shù)法設(shè)計(jì)寬帶功率放大
TriQuint公司的TGF2023-02管芯做功放模塊,該管芯既沒(méi)有大信號(hào)模型,也無(wú)靜態(tài)I-V曲線,僅在產(chǎn)品中給出了漏級(jí)電壓28V,靜態(tài)電流250mA下的小信號(hào)S參數(shù),本文首先依據(jù)小信號(hào)S參數(shù)進(jìn)行了功放的穩(wěn)定性分析,然后對(duì)輸入輸出阻抗進(jìn)行參數(shù)提取,最后利用輸入輸出阻抗做匹配優(yōu)化設(shè)計(jì)。
功放的穩(wěn)定性是保證設(shè)備安全可靠運(yùn)行的必要條件,在現(xiàn)實(shí)應(yīng)用中,存在信號(hào)源阻抗或負(fù)載阻抗與射頻放大器網(wǎng)絡(luò)不匹配,產(chǎn)生反射形成自激而造成設(shè)備的損壞。進(jìn)行功放的穩(wěn)定性分析,防止放大器自激,避免不必要的損失。TGF2023管芯增益高,在輸入端置一衰減器使管芯工作在穩(wěn)定狀態(tài),如圖1進(jìn)行功放的穩(wěn)定性分析,圖2結(jié)果顯示,穩(wěn)定性因子>1。

圖1. 功放穩(wěn)定性分析

圖2.穩(wěn)定性曲線
如圖3所示,依據(jù)ADS軟件中S-Parameters功能進(jìn)行TGF2023-02管芯輸入輸出阻抗的提取,在圖4的Smith Chart標(biāo)示出整個(gè)帶寬內(nèi)阻抗變化的趨勢(shì),從Smith Chart中可以看出輸出阻抗在整個(gè)頻段內(nèi)變化不大,輸入阻抗實(shí)部變化不大,因此該功率管適合做寬帶電路。根據(jù)寬帶匹配電路保高放低的原則,選擇靠近這條曲線中段偏高頻點(diǎn)作為最佳負(fù)載匹配點(diǎn)能夠在0.8~5GHz內(nèi)較好地達(dá)到效率、帶寬折中的目的 。

圖3.S參數(shù)提取

圖4. Smith Chart
在微波功率放大器的匹配電路設(shè)計(jì)中可以選擇集總元件,也可以選擇分布參數(shù)的微帶線,為了達(dá)到低損耗、易加工、易調(diào)試、寬帶寬的目的,設(shè)計(jì)的匹配電路采用微帶開(kāi)路短截線、短路短截線等分布參數(shù)進(jìn)行電路匹配設(shè)計(jì)。將圖4掃描出的阻抗參數(shù)利用ADS軟件中的DAC(Data Access Component)插件進(jìn)行輸入、輸出阻抗匹配設(shè)計(jì)。

圖5 輸入阻抗匹配設(shè)計(jì)

圖6 輸出阻抗匹配設(shè)計(jì)
在對(duì)輸入輸出電路匹配后進(jìn)行整體仿真,綜合考慮功率放大器的增益、帶內(nèi)平坦度、駐波等,對(duì)電路進(jìn)行優(yōu)化設(shè)計(jì),如圖7所示。利用ADS軟件的優(yōu)化功能對(duì)電路整體仿真的結(jié)果如圖8所示,由于GaN管芯本身的特性,0.8~2GHz頻帶內(nèi)增益大于14dB,2~5GHz頻帶內(nèi),增益大于12dB,2~5GHz頻帶內(nèi)增益起伏±1dB,整個(gè)頻段內(nèi),駐波<1.5。

圖7.電路整體優(yōu)化仿真

圖8. 仿真結(jié)果
3 實(shí)驗(yàn)結(jié)果與分析
在完成電路的ADS仿真,投產(chǎn)加工并進(jìn)行測(cè)試。仿真使用的介質(zhì)板材Rogers公司的RT5880,介電常數(shù)2.3,厚度0.254mm。加工出的電路實(shí)物圖,如圖10所示,實(shí)際電路尺寸30mm*10mm。
在漏壓28V,柵壓-2.8V,漏級(jí)靜態(tài)電流60mA,對(duì)電路進(jìn)行測(cè)試。首先使用矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀進(jìn)行小信號(hào)增益掃描,增益掃描結(jié)果如圖11所示,0.8~2GHz頻帶內(nèi)增益大于14dB,2~5GHz頻帶內(nèi),增益大于12dB,實(shí)測(cè)小信號(hào)增益與圖8仿真結(jié)果一致。圖12時(shí)在0.8~5GHz的頻帶范圍內(nèi)壓縮1dB下輸出功率隨頻率的變化范圍,由圖可以看出,整個(gè)頻帶內(nèi)飽和輸出功率大于39dBm,輸出功率起伏<1dB。

圖9.Tgf2023-02管芯

圖10.功放實(shí)測(cè)電路

圖11.實(shí)測(cè)電路小信號(hào)增益

圖12 電路飽和輸出功率
4 結(jié)論
利用GaN管芯TGF2023-02的小信號(hào)S參數(shù),設(shè)計(jì)了一款寬帶功率放大器,經(jīng)測(cè)試在0.8~5GHz頻帶內(nèi)飽和輸出功率>39dBm,起伏<1dB,電路尺寸30mm*15mm。經(jīng)過(guò)實(shí)物測(cè)試結(jié)果,與仿真結(jié)果一致,驗(yàn)證了小信號(hào)S參數(shù)的有用性。本次設(shè)計(jì)的成功,為寬帶功率放大器的設(shè)計(jì)提供了一種可行性方案。
(參考文獻(xiàn)略)

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