EMC實(shí)用整改方案

2016-12-26  by:CAE仿真在線  來(lái)源:互聯(lián)網(wǎng)

EMC的分類及標(biāo)準(zhǔn):

EMC(Electromagnetic Compatibility)是電磁兼容,它包括EMI(電磁騷擾)和EMS(電磁抗騷擾)。EMC定義為:設(shè)備或系統(tǒng)在其電磁環(huán)境中能正常工作且不對(duì)該環(huán)境中的任何設(shè)備的任何事物構(gòu)成不能承受的電磁騷擾的能力。EMC整的稱呼為電磁兼容。EMP是指電磁脈沖。

EMC = EMI + EMS 

EMI : 電磁干擾 

EMS : 電磁相容性 (免疫力)

EMI可分為傳導(dǎo)Conduction及輻射Radiation兩部分,Conduction規(guī)范一般可分為: FCC Part 15J Class B;CISPR 22(EN55022, EN61000-3-2, EN61000-3-3) Class B;國(guó)標(biāo)IT類(GB9254,GB17625)和AV類(GB13837,GB17625)。FCC測(cè)試頻率在450K-30MHz,CISPR 22測(cè)試頻率在150K--30MHz,Conduction可以用頻譜分析儀測(cè)試,Radiation則必須到專門(mén)的實(shí)驗(yàn)室測(cè)試。

EN55022為Radiation Test & Conduction Test (傳導(dǎo) & 輻射測(cè)試); EN61000-3-2為Harmonic Test (電源諧波測(cè)試) ;EN61000-3-3為Flicker Test (電壓變動(dòng)測(cè)試)。

CISPR22(Comite Special des Purturbations Radioelectrique)應(yīng)用于信息技術(shù)類裝置, 適用于歐洲和亞洲地區(qū);EN55022為歐洲標(biāo)準(zhǔn),FCC Part 15 (Federal Communications Commission) 適用于美國(guó),EN30220歐洲EMI測(cè)試標(biāo)準(zhǔn),功率輻射測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)是EN55013頻率在30MHZ-300MHz。

EN55011輻射測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)是:有的頻率段要求較高,有的頻率段要求較低。傳導(dǎo) (150KHZ-30MHZ) LISN主要是差模電流, 其共模阻抗為100歐姆(50 + 50); LISN主要是共模電流, 其總的電路阻抗為25歐姆(50 // 50)。

4線 AV 60dB/uV 150KHZ-2MHZ start 9KHZ

5線 PEAK 100dB/uV 150KHZ-3MHZ

6線 PEAK 100dB/uV 2MHZ-30MHZ

7線 QP 70dB/uV 150KHZ-500KHZ

Radiated (30MHZ-1GHZ): ADD 4N7/250V Y CAP 90dB/uV 30MHZ-300MHZ

EMI為電磁干擾,EMI是EMC其中的一部分,EMI(Electronic Magnetic Interference) 電磁干擾, EMI包括傳導(dǎo)、輻射、電流諧波、電壓閃爍等等。電磁干擾是由干擾源、藕合通道和接收器三部分構(gòu)成的,通常稱作干擾的三要素。 EMI線性正比于電流,電流回路面積以及頻率的平方即:EMI = K*I*S*F2。I是電流,S是回路面積,F是頻率,K是與電路板材料和其他因素有關(guān)的一個(gè)常數(shù)。

EMI是指產(chǎn)品的對(duì)外電磁干擾。一般情況下分為 Class A & Class B 兩個(gè)等級(jí)。 Class A為工業(yè)等級(jí),Class B 為民用等級(jí) 。民用的要比工業(yè)的嚴(yán)格,因?yàn)楣I(yè)用的允許輻射稍微大一點(diǎn)。同樣產(chǎn)品在測(cè)試EMI中的輻射測(cè)試來(lái)講,在30-230MHz下,B類要求產(chǎn)品的輻射限值不能超過(guò)40dBm 而A類要求不能超過(guò)50dBm(以三米法電波暗室測(cè)量為例)相對(duì)要寬松的多,一般來(lái)說(shuō)CLASS A是指在EMI測(cè)試條件下,無(wú)需操作人員介入,設(shè)備能按預(yù)期持續(xù)正常工作,不允許出現(xiàn)低于規(guī)定的性能等級(jí)的性能降低或功能損失。

EMI是設(shè)備正常工作時(shí)測(cè)它的輻射和傳導(dǎo)。在測(cè)試的時(shí)候,EMI的輻射和傳導(dǎo)在接收機(jī)上有兩個(gè)上限,分別代表Class A和Class B,如果觀察的波形超過(guò)B的線但是低于A的線,那么產(chǎn)品就是A類的。EMS是用測(cè)試設(shè)備對(duì)產(chǎn)品干擾,觀察產(chǎn)品在干擾下能否正常工作,如果正常工作或不出現(xiàn)超過(guò)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的性能下降,為A級(jí)。能自動(dòng)重啟且重啟后不出現(xiàn)超過(guò)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的性能下降,為B級(jí)。不能自動(dòng)重啟需人為重啟為C級(jí),掛掉為D級(jí)。國(guó)標(biāo)有D級(jí)的規(guī)定,EN只有A,B,C。EMI在工作頻率的奇數(shù)倍是最不好過(guò)的。

EMS(Electmmagnetic Suseeptibilkr) 電磁敏感度一般俗稱為 “電磁免疫力”, 是設(shè)備抗外界騷擾干擾之能力,EMI是設(shè)備對(duì)外的騷擾。

EMS中的等級(jí)是指:Class A,測(cè)試完成后設(shè)備仍在正常工作;Class B,測(cè)試完成或測(cè)試中需要重啟后可以正常工作;Class C,需要人為調(diào)整后可以正常重啟并正常工作;Class D,設(shè)備已損壞,無(wú)論怎樣調(diào)整也無(wú)法啟動(dòng)。嚴(yán)格程度EMI是B>A,EMS是A>B>C>D。

 

常用的EMC標(biāo)準(zhǔn)及試驗(yàn)配置

國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)

歐洲標(biāo)準(zhǔn)

英國(guó)標(biāo)準(zhǔn)

中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)

試驗(yàn)項(xiàng)目

試驗(yàn)配置

MIL-STD-461D




成束電纜注入傳導(dǎo)敏感試驗(yàn)

CST-115


EN55014-2


GB4343.2

家電類產(chǎn)品電磁抗干擾檢測(cè)


EN61547




燈具類產(chǎn)品電磁波干擾檢測(cè)


EN55012




汽油車(chē)電磁干擾/抗干擾檢測(cè)


EN50091-2




UPS的EMC限制


CISPR11

EN55011

BS4809

GB48422

工業(yè)、醫(yī)療和科學(xué)產(chǎn)品電磁干擾檢測(cè)(空間輻射)

SSS-KP11

CISPR12

EN55012

S833


汽車(chē)、機(jī)動(dòng)船和火花塞點(diǎn)火發(fā)動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)設(shè)備的射頻干擾特性測(cè)量方法和極限值


CISPR13

EN55013

BS905
第一部分

GB13837

音視頻/廣播類產(chǎn)品電磁干擾檢測(cè)(空間輻射)

SSS-KP13

CISPR14-1

EN55014-1

BS800

GB4343

家電類產(chǎn)品電磁干擾檢測(cè)(傳導(dǎo)干擾)

SSS-KP-9318/SSS-4343

CISPR15

EN55015

BS5394

GB17743

燈具類產(chǎn)品電磁波干擾檢測(cè)

SSS-KP-9314

CISPR16

EN55016

BS727


射頻干擾測(cè)量裝置和測(cè)量方法的規(guī)范


CISPR20

EN55020

BS905
第二部分


音視頻/廣播類產(chǎn)品電磁抗干擾檢測(cè)

SSS-KP20

CISPR22

EN55022

BS6527

GB9254

信息技術(shù)類產(chǎn)品電磁干擾檢測(cè)(空間輻射)

SSS-KP-9822/SSS-KP24

CISPR24

EN55024


GB17618

信息技術(shù)類產(chǎn)品電磁抗干擾檢測(cè)(EMS TEST)

SSS-KP24

CISPR25




車(chē)載船載電氣設(shè)備干擾特性測(cè)量

SSS-KP25

IEC555
第1-3部分

EN60555

BS5406


家用電器和類似電氣設(shè)備引起的電源干擾


IEC801
第1-3部分

HD481


BS6667
第1-3部分

工業(yè)過(guò)程測(cè)量惡化控制設(shè)備的電磁兼容性


EN61000-6-1




居住、商業(yè)、輕工業(yè)環(huán)境下產(chǎn)品電磁抗干擾檢測(cè)


EN61000-6-2




工業(yè)環(huán)境下產(chǎn)品電磁抗干擾檢測(cè)


EN61000-6-3




居住、商業(yè)、輕工業(yè)環(huán)境下產(chǎn)品電磁干擾檢測(cè)


EN61000-6-4




工業(yè)環(huán)境下產(chǎn)品電磁干擾檢測(cè)


EN60555-2

EN61000-3-2



電源諧波檢測(cè),單項(xiàng)輸入電流≦16A

SSS-TMX-125/SSS-TMX-140

EN60555-3

EN61000-3-3



電壓閃爍檢測(cè),輸入電流≦16A

SSS-TMX-125/SSS-TMX-140

IEC61000-4-2

EN61000-4-2



靜電放電抗干擾檢測(cè)

ESD-320A/ESD-8012 /ESD-8012G

IEC61000-4-3

EN61000-4-3



射頻電磁波抗干擾檢測(cè)

SSS-6100S/SSS-1043

IEC61000-4-4

EN 61000-4-4



電性快速脈沖群抗干擾檢測(cè)(EFT Test)

EFTB-8014/EFT-8014A /EFT-8014G

IEC61000-4-5

EN61000-4-5



雷擊浪涌抗干擾檢測(cè)(Surge Test)

LSG-6K/LSG-61005 /LSG-8015

IEC61000-4-6

EN61000-4-6



傳導(dǎo)抗干擾檢測(cè)

SSS-61006

IEC61000-4-8

EN61000-4-8



電源頻率磁場(chǎng)抗干擾檢測(cè)(PFMF Test)

SSS-KBA-1105

IEC61000-4-11

EN61000-4-11



電壓瞬降抗干擾檢測(cè)(DIP Test)

CSS-100A/CSS-100G

IEC61000-4-12

EN61000-4-12



振蕩波敏感度試驗(yàn)

SWC-3000S

IEC68-2-67/IEC68-2-3




恒定濕熱Damp heat,steady state


IEC68-2-30




交變濕熱 Damp heat,cyclic


FCC Part 15




美國(guó)射頻設(shè)備的無(wú)線電干擾限值和測(cè)量方法


FCC Part 18




美國(guó)工科醫(yī)類產(chǎn)品的干擾限值和測(cè)量方法


VCCI




日本信息技術(shù)設(shè)備EMC要求


EMS部份為EN55024包含7項(xiàng)測(cè)試:

EN61000-4-2:1998;

EN61000-4-3:1998;

EN61000-4-4:1995,

EN61000-4-5:1995;

EN61000-4-6:1996;

EN61000-4-8: 1993;

EN61000-4-11:1994。

EMC檢測(cè)主要項(xiàng)目:

空間輻射(Radiation): EN55011,13,22 FCC Part 15&18, VCCI

傳導(dǎo)干擾(Conduction): EN55011,13,14-1,15,22, FCC Part 15&18, VCCI
喀嚦聲(Click): EN55014-1

功率輻射(Power Clamp): EN55013,14-1
磁場(chǎng)輻射(Magnetic Emission): EN55011,15
低頻干擾(Low Frequency Immunity): EN50091-2
靜電放電(ESD): IEC61000-4-2、EN61000-4-2、 GB/T17626.2
輻射抗擾度(R/S): IEC61000-4-3、 EN61000-4-3 、GB/T17626.3
脈沖群抗擾度(EFT/B): IEC61000-4-4、EN61000-4-4 、 GB/T17626.4
浪涌抗擾度(SURGE): IEC61000-4-5、 EN61000-4-5、 GB/T17626.5
傳導(dǎo)騷擾抗擾度(C/S): IEC61000-4-6、 EN61000-4-6 、GB/T17626.6

工頻磁場(chǎng)抗擾度(M/S): IEC61000-4-8、 EN61000-4-8、GB/T17626.8
電壓跌落(DIPS): IEC61000-4-11、 EN61000-4-11、 GB/T17626.11
諧波電流(Harmonic): IEC61000-3-2、EN61000-3-2

電壓閃爍(Flicker): IEC61000-3-3、EN61000-3-3

輻射干擾(Radiated Interference)是通過(guò)空間并以電磁波的特性和規(guī)律傳播的。但不是任何裝置都能輻射電磁波的。傳導(dǎo)干擾(Conducted Interference)是沿著導(dǎo)體傳播的干擾。所以傳導(dǎo)干擾的傳播要求在干擾源和接收器之間有一完整的電路連接。

電磁兼容三要素:任何電磁兼容性問(wèn)題都包含三個(gè)要素,即干擾源、敏感源和耦合路徑,這三個(gè)要素中缺少一個(gè),電磁兼容問(wèn)題就不會(huì)存在。

產(chǎn)生電磁干擾的條件: 突然變化的電壓或電流,即dV/dt或dI/dt很大;輻射天線或傳導(dǎo)導(dǎo)體。

電磁兼容標(biāo)準(zhǔn)對(duì)設(shè)備的要求有兩個(gè)方面:一個(gè)是工作時(shí)不會(huì)對(duì)外界產(chǎn)生不良的電磁干擾影響,另一個(gè)是不能對(duì)外界的電磁干擾過(guò)度敏感。前一個(gè)方面的要求稱為干擾發(fā)射要求,后一個(gè)方面的要求稱為敏感度要求。

電磁能量從設(shè)備內(nèi)傳出或從外界傳入設(shè)備的途徑只有兩個(gè),一個(gè)是以電磁波的形式從空間傳播,另一個(gè)是以電流的形式沿導(dǎo)線傳播。因此,電磁干擾發(fā)射可以分為:傳導(dǎo)發(fā)射和輻射發(fā)射;敏感度也可以分為傳導(dǎo)敏感度和輻射敏感度。

電磁兼容標(biāo)準(zhǔn)分為基礎(chǔ)標(biāo)準(zhǔn)、通用標(biāo)準(zhǔn)、產(chǎn)品類標(biāo)準(zhǔn)和專用產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)。

基礎(chǔ)標(biāo)準(zhǔn):描述了EMC現(xiàn)象、規(guī)定了EMC測(cè)試方法、設(shè)備,定義了等級(jí)和性能判據(jù)?;A(chǔ)標(biāo)準(zhǔn)不涉及具體產(chǎn)品。

產(chǎn)品類標(biāo)準(zhǔn):針對(duì)某種產(chǎn)品系列的EMC測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)。往往引用基礎(chǔ)標(biāo)準(zhǔn),但根據(jù)產(chǎn)品的特殊性提出更詳細(xì)的規(guī)定。

通用標(biāo)準(zhǔn):按照設(shè)備使用環(huán)境劃分的,當(dāng)產(chǎn)品沒(méi)有特定的產(chǎn)品類標(biāo)準(zhǔn)可以遵循時(shí),使用通用標(biāo)準(zhǔn)來(lái)進(jìn)行EMC測(cè)試。對(duì)使設(shè)備的功能完全正常,也要滿足這些標(biāo)準(zhǔn)的要求。

關(guān)于制訂電磁兼容標(biāo)準(zhǔn)的組織和標(biāo)準(zhǔn)的介紹:

IEC(國(guó)際電工委員會(huì)):有兩個(gè)平行的組織制訂EMC標(biāo)準(zhǔn),CISPR和TC77。

CISPR(國(guó)際無(wú)線電干擾特別委員會(huì)):1934年成立。目前有七個(gè)分會(huì):A分會(huì)(無(wú)線電干擾測(cè)量方法與統(tǒng)計(jì)方法)、B分會(huì)(工、科、醫(yī)療射頻設(shè)備的無(wú)線電干擾)、C分會(huì)(電力線、高壓設(shè)備和電牽引系統(tǒng)的無(wú)線電干擾)、D分會(huì)(機(jī)動(dòng)車(chē)和內(nèi)燃機(jī)的無(wú)線電干擾)、E分會(huì)(無(wú)線接收設(shè)備干擾特性)、F分會(huì)(家電、電動(dòng)工具、照明設(shè)備及類似電器的無(wú)線電干擾)、G分會(huì)(信息設(shè)備的無(wú)線電干擾)。

TC77(第77技術(shù)委員會(huì)):1981年成立。目前有3個(gè)分會(huì):SC77A(低頻現(xiàn)象)、 SC77B(高頻現(xiàn)象)、 SC77C(對(duì)高空核電磁脈沖的抗擾性)。

CENELEC(歐洲電工標(biāo)準(zhǔn)化委員會(huì)):由歐共體委員會(huì)授權(quán)制訂歐洲標(biāo)準(zhǔn)。EN標(biāo)準(zhǔn)中引用了很多CISPR和IEC標(biāo)準(zhǔn),其對(duì)應(yīng)關(guān)系如下:

EN55××× = CISPR標(biāo)準(zhǔn), (例: EN55011 = CISPR Pub.11)

EN6×××× = IEC標(biāo)準(zhǔn), (例: EN61000-4-3 = IEC61000-4-3 Pub.11)

EN50××× = CENELEC自定標(biāo)準(zhǔn), (例: EN50801 )

FCC(聯(lián)邦通信委員會(huì))全名為Federal Communications Commission:是管理電腦, 周邊及通信產(chǎn)品等銷售美國(guó)之審核授權(quán)機(jī)抅, 主要制訂民用產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn),關(guān)于電磁兼容的標(biāo)準(zhǔn)主要包括在FCC Part15和FCC Part 18中。

FCC Part 15 subpart B規(guī)定: 凡利用數(shù)位技術(shù)之電子裝置或系統(tǒng), 及使用或產(chǎn)生脈波頻率超過(guò)10KHz之器材,皆須依規(guī)定進(jìn)行測(cè)試認(rèn)證后, 才可以在美國(guó)市場(chǎng)銷售。

MIL-STD(美軍標(biāo)):典型的是MIL-STD –461D。這個(gè)標(biāo)準(zhǔn)不僅規(guī)定了最大輻射發(fā)射和傳導(dǎo)發(fā)射的限制,還規(guī)定了系統(tǒng)對(duì)輻射和傳導(dǎo)干擾的敏感度要求。配套標(biāo)準(zhǔn)MIL-STD-462規(guī)定了必要的測(cè)試裝置。商業(yè)公司經(jīng)常將MIL-STD-461中的某些部分作為產(chǎn)品內(nèi)部EMC規(guī)范。

VCCI(干擾自愿控制委員會(huì)):民間機(jī)構(gòu),其標(biāo)準(zhǔn)與CISPR和IEC一致。

GB(中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)):基本采用CISPR和IEC標(biāo)準(zhǔn),目前已發(fā)布57個(gè)。

GJB(中國(guó)軍用標(biāo)準(zhǔn)):基本采用美軍標(biāo),例如GJB151A = MIL-STD –461D。

軍用設(shè)備
為軍用設(shè)計(jì)的電子系統(tǒng)必須滿足MIL-STD-461D的要求, 另一個(gè)關(guān)于EMI的軍用標(biāo)準(zhǔn)是保密的TEMPEST計(jì)劃,這是用來(lái)保證保密通信系統(tǒng)安全的?,F(xiàn)在可以接收并復(fù)現(xiàn)出大多數(shù)電子設(shè)備政黨工作時(shí)所發(fā)射的功率很低的射頻信號(hào)。象對(duì)電子竊聽(tīng)很脆弱的CRT終端那樣的軍用產(chǎn)品就屬于TEMPEST的范疇。在實(shí)踐中,TEMPEST控制設(shè)備和系統(tǒng)的發(fā)射,使無(wú)法解譯攜帶信息的信號(hào)。
由于關(guān)于EMC的法規(guī)和標(biāo)準(zhǔn)十分復(fù)雜,關(guān)于信息技術(shù)設(shè)備的相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)總結(jié)在表1.9中。一些標(biāo)準(zhǔn)的頻率范圍在圖1-3中標(biāo)明。

CE標(biāo)示: 源自歐共體各會(huì)員國(guó)(European Community)縮寫(xiě)的總稱, 並以此為標(biāo)志。規(guī)范產(chǎn)品是否符合歐體為保障民眾安全健康以及環(huán)境保護(hù)等利益所訂定之基本安全要求。

CE = EMC + LVD EMC : 電磁干擾及電磁相容性 LVD : 低電壓指令

測(cè)量場(chǎng)地:GB要求在開(kāi)闊場(chǎng)地中測(cè)量,GJB要求在屏蔽半無(wú)反射室中測(cè)量,由于電磁環(huán)境日趨惡化,開(kāi)闊場(chǎng)中的背景干擾往往嚴(yán)重影響測(cè)量,因此,GB測(cè)量也開(kāi)始在屏蔽半無(wú)反射室中做,但要求半無(wú)反射室中的電磁場(chǎng)分布與開(kāi)闊場(chǎng)近似。

天線到EUT(受試設(shè)備)的距離:GB要求為3米、10米或30米,GJB要求為1米;

測(cè)量?jī)?nèi)容:GB僅測(cè)量電場(chǎng)輻射發(fā)射,GJB對(duì)電場(chǎng)輻射和磁場(chǎng)輻射都要測(cè)量;

測(cè)量頻率范圍:GB規(guī)定的測(cè)量范圍為30MHz ~ 1GHz,隨著時(shí)鐘頻率的升高,有擴(kuò)展到18GHz的趨勢(shì),GJB規(guī)定的測(cè)量頻率范圍為10kHz ~ 18GHz。

EUT的布置:GB和GJB都要求EUT按照實(shí)際工作狀態(tài)布置(互聯(lián)電纜和所連接的外部設(shè)備全部按實(shí)際狀態(tài)連接),GB要求EUT放置在木制測(cè)試臺(tái)上,GJB要求EUT放置在金屬板上。距離地面的距離為0.8米;

檢波方式:干擾測(cè)量?jī)x的讀數(shù)與檢波方式有關(guān),因此標(biāo)準(zhǔn)中都明確規(guī)定檢波方式,GB要求準(zhǔn)峰值檢波,GJB要求峰值檢波;

最大輻射點(diǎn):與處理電磁兼容問(wèn)題的原則相同,僅關(guān)心最壞情況。因此,以EUT的最大輻射值為測(cè)量結(jié)果。最大輻射值的含義有4個(gè),第一:EUT的工作狀態(tài)處于最大輻射狀態(tài),第二:EUT最大輻射面對(duì)著天線,第三:天線的極化方向?yàn)榻邮兆畲髨?chǎng)強(qiáng)的方向,第四:天線的高度為接收最大場(chǎng)強(qiáng)的位置。GJB中,沒(méi)有第四點(diǎn)的要求,即,天線的高度是固定的。

測(cè)量設(shè)備:

騷擾測(cè)量設(shè)備:用來(lái)定量計(jì)量騷擾強(qiáng)度的設(shè)備,可以是EMI測(cè)量接收機(jī),也可以是頻譜分析儀,頻率范圍要覆蓋150KHz~30MHz,具有峰值、準(zhǔn)峰值和平均值檢波功能。

線路阻抗穩(wěn)定網(wǎng)絡(luò)(LISN):由于電源端子傳導(dǎo)發(fā)射的強(qiáng)度與電網(wǎng)的阻抗有關(guān),因此為了使測(cè)量具有唯一性,必須在特定的阻抗條件下測(cè)量,LISN就提供了這樣一個(gè)環(huán)境,GB9254標(biāo)準(zhǔn)中使用的LISN為50Ω/50μH。

接地平板:受試設(shè)備要放置在接地金屬板上進(jìn)行試驗(yàn),該金屬板比被測(cè)設(shè)備邊框大0.5米,最小尺寸為2m×2m。

電快速脈沖試驗(yàn)?zāi)M電網(wǎng)中的感性負(fù)載斷開(kāi)時(shí)產(chǎn)生的干擾。這種干擾不僅會(huì)出現(xiàn)在電源線上,而且會(huì)耦合到信號(hào)線上。因此,這個(gè)試驗(yàn)要對(duì)電源線和信號(hào)線做。設(shè)備能夠通過(guò)浪涌試驗(yàn),并不意味著也能通過(guò)電快速脈沖試驗(yàn)。一方面是因?yàn)楹笳叩念l率成份遠(yuǎn)高于前者,具備不同的干擾機(jī)理,令一方面是因?yàn)殡娍焖倜}沖試驗(yàn)中施加的干擾是重復(fù)性,這對(duì)電路具有一種積分效應(yīng),是電路中的積分型抗干擾電路實(shí)效。

頻譜分析儀能夠快速地在較寬的頻率范圍內(nèi)掃描,因此是診斷電磁干擾發(fā)射的方便工具。使用頻譜分析儀時(shí)需要注意的問(wèn)題:頻譜分析儀不能觀測(cè)瞬間干擾,如靜電放電、雷電等;頻譜分析儀的掃描時(shí)間不能設(shè)置得太短,即不能使掃描速度太快;從頻譜分析儀屏幕上讀取頻率與幅度數(shù)據(jù)時(shí),其精度與頻譜儀的掃描范圍有關(guān),范圍越窄,精度越高;當(dāng)輸入信號(hào)過(guò)大時(shí),頻譜分析儀會(huì)發(fā)生過(guò)載,使讀取的幅度數(shù)據(jù)比實(shí)際的小,用輸入衰減器可以避免過(guò)載;減小頻譜儀的中頻帶寬可以提高儀器的靈敏度(和選擇性),但掃描時(shí)間會(huì)更長(zhǎng);寬帶信號(hào)的幅度會(huì)隨著中頻分辨帶寬的增加而增加。

電磁干擾(EMI)接收機(jī)是另一種測(cè)量電磁干擾的設(shè)備,許多人在選購(gòu)儀器時(shí)搞不懂接收機(jī)與頻譜儀之間的區(qū)別,下面做一簡(jiǎn)單比較:

所有的接收機(jī)都標(biāo)準(zhǔn)配置預(yù)選器(頻譜儀需要選配),能夠有效地抑制帶外噪聲;所有的接收機(jī)用基頻混頻方式(頻譜儀使用基頻和諧頻混頻),具有較高的靈敏度;接收機(jī)的中頻濾波器為矩形(頻譜儀的中頻濾波器為高斯形),具有更好的選擇性;接收機(jī)適合于正式測(cè)量,不適合于診斷。

EMC試驗(yàn)室有華測(cè)(CTI)、SGS、信測(cè)、信華、華通威、冠準(zhǔn)、莫特、廣州ETL、廣州五所、東莞經(jīng)續(xù)、東莞沃特、厚街北南、長(zhǎng)安世鴻、長(zhǎng)安碩信(ATT)、大朗信寶、塘夏歐標(biāo)、摩爾實(shí)驗(yàn)室、經(jīng)續(xù)檢驗(yàn)技術(shù)有限公司等。像美國(guó)的FCC只測(cè)EMI中的輻射和傳導(dǎo),不測(cè)EMS。有些國(guó)家EMI和EMS是分開(kāi)測(cè)的,有些國(guó)家是一起像CCC認(rèn)證CE認(rèn)證?,F(xiàn)在很多電器類產(chǎn)品做CE還要加測(cè)電磁波騷擾EMF,標(biāo)準(zhǔn)是EN-50336。電源EMI技術(shù)就算能達(dá)到標(biāo)準(zhǔn),有的產(chǎn)品要求要達(dá)一定的濕度測(cè)試。在深圳濕試控制都比較難做。深圳幾家大實(shí)驗(yàn)室,都比較難,空間問(wèn)題。EMI不只包括傳導(dǎo),輻射,電流諧波與電壓閃爍也是EMI的部分。諧波和閃爍是設(shè)備對(duì)外的,而不是外界對(duì)設(shè)備的,所以是EMI,不是EMS。


開(kāi)關(guān)電源電磁干擾的產(chǎn)生機(jī)理及其傳播途徑

功率開(kāi)關(guān)器件的高額開(kāi)關(guān)動(dòng)作是導(dǎo)致開(kāi)關(guān)電源產(chǎn)生電磁干擾(EMI)的主要原因。開(kāi)關(guān)頻率的提高一方面減小了電源的體積和重量,另一方面也導(dǎo)致了更為嚴(yán)重的EMI問(wèn)題。開(kāi)關(guān)電源工作時(shí),其內(nèi)部的電壓和電流波形都是在非常短的時(shí)間內(nèi)上升和下降的,因此,開(kāi)關(guān)電源本身是一個(gè)噪聲發(fā)生源。開(kāi)關(guān)電源產(chǎn)生的干擾,按噪聲干擾源種類來(lái)分,可分為尖峰干擾和諧波干擾兩種;若按耦合通路來(lái)分,可分為傳導(dǎo)干擾和輻射干擾兩種。使電源產(chǎn)生的干擾不至于對(duì)電子系統(tǒng)和電網(wǎng)造成危害的根本辦法是削弱噪聲發(fā)生源,或者切斷電源噪聲和電子系統(tǒng)、電網(wǎng)之間的耦合途徑?,F(xiàn)在按噪聲干擾源來(lái)分別說(shuō)明:
1、二極管的反向恢復(fù)時(shí)間引起的干擾
交流輸入電壓經(jīng)功率二極管整流橋變?yōu)檎颐}動(dòng)電壓,經(jīng)電容平滑后變?yōu)橹绷?但電容電流的波形不是正弦波而是脈沖波。由電流波形可知,電流中含有高次諧波。大量電流諧波分量流入電網(wǎng),造成對(duì)電網(wǎng)的諧波污染。另外,由于電流是脈沖波,使電源輸入功率因數(shù)降低。

高頻整流回路中的整流二極管正向?qū)〞r(shí)有較大的正向電流流過(guò),在其受反偏電壓而轉(zhuǎn)向截止時(shí),由于PN結(jié)中有較多的載流子積累,因而在載流子消失之前的一段時(shí)間里,電流會(huì)反向流動(dòng),致使載流子消失的反向恢復(fù)電流急劇減少而發(fā)生很大的電流變化(di/dt)。

2、開(kāi)關(guān)管工作時(shí)產(chǎn)生的諧波干擾
功率開(kāi)關(guān)管在導(dǎo)通時(shí)流過(guò)較大的脈沖電流。例如正激型、推挽型和橋式變換器的輸入電流波形在 阻性負(fù)載時(shí)近似為矩形波,其中含有豐富的高次諧波分量。當(dāng)采用零電流、零電壓開(kāi)關(guān)時(shí),這種諧 波干擾將會(huì)很小。另外,功率開(kāi)關(guān)管在截止期間,高頻變壓器繞組漏感引起的電流突變,也會(huì)產(chǎn)生 尖峰干擾。
3、交流輸入回路產(chǎn)生的干擾
無(wú)工頻變壓器的開(kāi)關(guān)電源輸入端整流管在反向恢復(fù)期間會(huì)引起高頻衰減振蕩產(chǎn)生干擾。開(kāi)關(guān)電源產(chǎn)生的尖峰干擾和諧波干擾能量,通過(guò)開(kāi)關(guān)電源的輸入輸出線傳播出去而形成的干擾稱之為傳導(dǎo)干擾;而諧波和寄生振蕩的能量,通過(guò)輸入輸出線傳播時(shí),都會(huì)在空間產(chǎn)生電場(chǎng)和磁場(chǎng)。這種通過(guò)電磁輻射產(chǎn)生的干擾稱為輻射干擾。
4、其他原因
元器件的寄生參數(shù),開(kāi)關(guān)電源的原理圖設(shè)計(jì)不夠完美,印刷線路板(PCB)走線通常采用手工布 置,具有很大的隨意性,PCB的近場(chǎng)干擾大,并且印刷板上器件的安裝、放置,以及方位的不合理都會(huì)造成EMI干擾。這增加了PCB分布參數(shù)的提取和近場(chǎng)干擾估計(jì)的難度。

Flyback 架構(gòu)noise 在頻譜上的反應(yīng)

0.15 MHz處產(chǎn)生的振蕩是開(kāi)關(guān)頻率的3次諧波引起的干擾。

0.2 MHz處產(chǎn)生的振蕩是開(kāi)關(guān)頻率的4次諧波和Mosfet 振蕩2(190.5KHz)基波的迭加,引起的干擾;所以這部分較強(qiáng)。

0.25 MHz處產(chǎn)生的振蕩是開(kāi)關(guān)頻率的5次諧波引起的干擾;

0.35 MHz處產(chǎn)生的振蕩是開(kāi)關(guān)頻率的7次諧波引起的干擾;

0.39 MHz處產(chǎn)生的振蕩是開(kāi)關(guān)頻率的8次諧波和Mosfet 振蕩2(190.5KHz)基波的迭加引起的干擾;

1.31MHz處產(chǎn)生的振蕩是Diode 振蕩1(1.31MHz)的基波引起的干擾;

3.3 MHz處產(chǎn)生的振蕩是Mosfet振蕩1(3.3MHz)的基波引起的干擾;

開(kāi)關(guān)管、整流二極管的振蕩會(huì)產(chǎn)生較強(qiáng)的干擾

設(shè)計(jì)開(kāi)關(guān)電源時(shí)防止EMI的措施:

1.把噪音電路節(jié)點(diǎn)的PCB銅箔面積最大限度地減小;如開(kāi)關(guān)管的漏極、集電極,初次級(jí)繞組的節(jié)點(diǎn),等。

2.使輸入和輸出端遠(yuǎn)離噪音元件,如變壓器線包,變壓器磁芯,開(kāi)關(guān)管的散熱片,等等。

3. 使噪音元件(如未遮蔽的變壓器線包,未遮蔽的變壓器磁芯,和開(kāi)關(guān)管,等等)遠(yuǎn)離外殼邊緣,因?yàn)樵谡2僮飨峦鈿み吘壓芸赡芸拷饷娴慕拥鼐€。

4. 如果變壓器沒(méi)有使用電場(chǎng)屏蔽,要保持屏蔽體和散熱片遠(yuǎn)離變壓器。

5. 盡量減小以下電流環(huán)的面積:次級(jí)(輸出)整流器,初級(jí)開(kāi)關(guān)功率器件,柵極(基極)驅(qū)動(dòng)線路,輔助整流器。

6.不要將門(mén)極(基極)的驅(qū)動(dòng)返饋環(huán)路和初級(jí)開(kāi)關(guān)電路或輔助整流電路混在一起。

7.調(diào)整優(yōu)化阻尼電阻值,使它在開(kāi)關(guān)的死區(qū)時(shí)間里不產(chǎn)生振鈴響聲。

8. 防止EMI濾波電感飽和。

9.使拐彎節(jié)點(diǎn)和 次級(jí)電路的元件遠(yuǎn)離初級(jí)電路的屏蔽體或者開(kāi)關(guān)管的散熱片。

10.保持初級(jí)電路的擺動(dòng)的節(jié)點(diǎn)和元件本體遠(yuǎn)離屏蔽或者散熱片。

11.使高頻輸入的EMI濾波器靠近輸入電纜或者連接器端。

12.保持高頻輸出的EMI濾波器靠近輸出電線端子。

13. 使EMI濾波器對(duì)面的PCB板的銅箔和元件本體之間保持一定距離。

14.在輔助線圈的整流器的線路上放一些電阻。

15.在磁棒線圈上并聯(lián)阻尼電阻。

16.在輸出RF濾波器兩端并聯(lián)阻尼電阻。

17.在PCB設(shè)計(jì)時(shí)允許放1nF/ 500 V陶瓷電容器或者還可以是一串電阻,跨接在變壓器的初級(jí)的靜端和輔助繞組之間。

18.保持EMI濾波器遠(yuǎn)離功率變壓器;尤其是避免定位在繞包的端部。

19.在PCB面積足夠的情況下, 可在PCB上留下放屏蔽繞組用的腳位和放RC阻尼器的位置,RC阻尼器可跨接在屏蔽繞組兩端。

20.空間允許的話在開(kāi)關(guān)功率場(chǎng)效應(yīng)管的漏極和門(mén)極之間放一個(gè)小徑向引線電容器(米勒電容, 10皮法/ 1千伏電容)。

21.空間允許的話放一個(gè)小的RC阻尼器在直流輸出端。

22. 不要把AC插座與初級(jí)開(kāi)關(guān)管的散熱片靠在一起。

開(kāi)關(guān)電源EMI的特點(diǎn)
作為工作于開(kāi)關(guān)狀態(tài)的能量轉(zhuǎn)換裝置,開(kāi)關(guān)電源的電壓、電流變化率很高,產(chǎn)生的干擾強(qiáng)度較大;干擾源主要集中在功率開(kāi)關(guān)期間以及與之相連的散熱器和高平變壓器,相對(duì)于數(shù)字電路干擾源的位置較為清楚;開(kāi)關(guān)頻率不高(從幾十千赫和數(shù)兆赫茲),主要的干擾形式是傳導(dǎo)干擾和近場(chǎng)干擾;而印刷線路板 (PCB)走線通常采用手工布線,具有更大的隨意性,這增加了PCB分布參數(shù)的提取和近場(chǎng)干擾估計(jì)的難度。

1MHZ以內(nèi)----以差模干擾為主,增大X電容就可解決
1MHZ---5MHZ---差模共?;旌?采用輸入端并一系列X電容來(lái)濾除差摸干擾并分析出是哪種干擾超標(biāo)并解決;
5M---以上以共摸干擾為主,采用抑制共摸的方法.對(duì)于外殼接地的,在地線上用一個(gè)磁環(huán)繞2圈會(huì)對(duì)10MHZ以上干擾有較大的衰減(diudiu2006);對(duì)于25--30MHZ不過(guò)可以采用加大對(duì)地Y電容、在變壓器外面包銅皮、改變PCB LAYOUT、輸出線前面接一個(gè)雙線并繞的小磁環(huán),最少繞10圈、在輸出整流管兩端并RC濾波器.
30---50MHZ 普遍是MOS管高速開(kāi)通關(guān)斷引起,可以用增大MOS驅(qū)動(dòng)電阻,RCD緩沖電路采用1N4007慢管,VCC供電電壓用1N4007慢管來(lái)解決.
100---200MHZ 普遍是輸出整流管反向恢復(fù)電流引起,可以在整流管上串磁珠

100MHz-200MHz之間大部分出于PFC MOSFET及PFC 二極管,現(xiàn)在MOSFET及PFC二極管串磁珠有效果,水平方向基本可以解決問(wèn)題,但垂直方向就很無(wú)奈了

開(kāi)關(guān)電源的輻射一般只會(huì)影響到100M 以下的頻段.也可以在MOS,二極管上加相應(yīng)吸收回路,但效率會(huì)有所降低。

1MHZ 以內(nèi)----以差模干擾為主

1.增大X 電容量;

2.添加差模電感;

3.小功率電源可采用PI 型濾波器處理(建議靠近變壓器的電解電容可選用較大些)。

1MHZ---5MHZ---差模共?;旌?

采用輸入端并聯(lián)一系列X 電容來(lái)濾除差摸干擾并分析出是哪種干擾超標(biāo)并以解決,

1.對(duì)于差模干擾超標(biāo)可調(diào)整X 電容量,添加差模電感器,調(diào)差模電感量;

2.對(duì)于共模干擾超標(biāo)可添加共模電感,選用合理的電感量來(lái)抑制;

3.也可改變整流二極管特性來(lái)處理一對(duì)快速二極管如FR107 一對(duì)普通整流二極管1N4007。

5M---以上以共摸干擾為主,采用抑制共摸的方法。

對(duì)于外殼接地的,在地線上用一個(gè)磁環(huán)串繞2-3 圈會(huì)對(duì)10MHZ 以上干擾有較大的衰減作用;可選擇緊貼變壓器的鐵芯粘銅箔, 銅箔閉環(huán).處理后端輸出整流管的吸收電路和初級(jí)大電路并聯(lián)電容的大小。

對(duì)于20--30MHZ,

1.對(duì)于一類產(chǎn)品可以采用調(diào)整對(duì)地Y2電容量或改變Y2 電容位置;

2.調(diào)整一二次側(cè)間的Y1 電容位置及參數(shù)值;

3.在變壓器外面包銅箔;變壓器最里層加屏蔽層;調(diào)整變壓器的各繞組的排布。

4.改變PCB LAYOUT;

5.輸出線前面接一個(gè)雙線并繞的小共模電感;

6.在輸出整流管兩端并聯(lián)RC 濾波器且調(diào)整合理的參數(shù);

7.在變壓器與MOSFET 之間加BEAD CORE;

8.在變壓器的輸入電壓腳加一個(gè)小電容。

9. 可以用增大MOS 驅(qū)動(dòng)電阻.

30---50MHZ 普遍是MOS 管高速開(kāi)通關(guān)斷引起,

1.可以用增大MOS 驅(qū)動(dòng)電阻;

2.RCD 緩沖電路采用1N4007 慢管;

3.VCC 供電電壓用1N4007 慢管來(lái)解決;

4.或者輸出線前端串接一個(gè)雙線并繞的小共模電感;

5.在MOSFET 的D-S 腳并聯(lián)一個(gè)小吸收電路;

6.在變壓器與MOSFET 之間加BEAD CORE;

7.在變壓器的輸入電壓腳加一個(gè)小電容;

8.PCB LAYOUT 時(shí)大電解電容,變壓器,MOS 構(gòu)成的電路環(huán)盡可能的小;

9.變壓器,輸出二極管,輸出平波電解電容構(gòu)成的電路環(huán)盡可能的小。

50---100MHZ 普遍是輸出整流管反向恢復(fù)電流引起,

1.可以在整流管上串磁珠;

2.調(diào)整輸出整流管的吸收電路參數(shù);

3.可改變一二次側(cè)跨接Y電容支路的阻抗,如PIN腳處加BEAD CORE或串接適當(dāng)?shù)碾娮?

4.也可改變MOSFET,輸出整流二極管的本體向空間的輻射(如鐵夾卡MOSFET; 鐵夾卡DIODE,改變散熱器的接地點(diǎn))。

5.增加屏蔽銅箔抑制向空間輻射.

200MHZ 以上 開(kāi)關(guān)電源已基本輻射量很小,一般可過(guò)EMI 標(biāo)準(zhǔn)。

傳 導(dǎo) 方 面 EMI 對(duì) 策

傳導(dǎo)冷機(jī)時(shí)在0.15-1MHZ超標(biāo),熱機(jī)時(shí)就有7DB余量。主要原因是初級(jí)BULK電容DF值過(guò)大造成的,冷機(jī)時(shí)ESR比較大,熱機(jī)時(shí)ESR比較小,開(kāi)關(guān)電流在ESR上形成開(kāi)關(guān)電壓,它會(huì)壓在一個(gè)電流LN線間流動(dòng),這就是差模干擾。解決辦法是用ESR低的電解電容或者在兩個(gè)電解電容之間加一個(gè)差模電感。.........

輻 射 方 面 EMI 對(duì) 策

輻射在30~300MHz頻段內(nèi)出現(xiàn)寬帶噪聲超標(biāo)

通過(guò)在電源線上增加去耦磁環(huán)(可開(kāi)合)進(jìn)行驗(yàn)證,如果有改善則說(shuō)明和電源線有關(guān)系,采用以下整改方法:如果設(shè)備有一體化濾波器,檢查濾波器的接地是否良好,接地線是否盡可能短;

金屬外殼的濾波器的接地最好直接通過(guò)其外殼和地之間的大面積搭接。檢查濾波器的輸入、輸出線是否互相靠近。適當(dāng)調(diào)整X/Y電容的容值、差模電感及共模扼流圈的感量;調(diào)整Y電容時(shí)要注意安全問(wèn)題;改變參數(shù)可能會(huì)改善某一段的輻射,但是卻會(huì)導(dǎo)致另外頻度變差,所以需要不斷的試,才能找到最好的組合。適當(dāng)增大觸發(fā)極上的電阻值不失為一個(gè)好辦法;也可在開(kāi)關(guān)管晶體管的集電極(或者是MOS管的漏極)或者是次級(jí)輸出整流管對(duì)地接一個(gè)小電容也可以有效減小共模開(kāi)關(guān)噪聲。開(kāi)關(guān)電源板在PCB布線時(shí)一定要控制好各回路的回流面積,可以大大減小差模輻射。在PCB電源走線中增加104/103電容為電源去耦;在多層板布線時(shí)要求電源平面和地平面緊鄰;在電源線上套磁環(huán)進(jìn)行比對(duì)驗(yàn)證,以后可以通過(guò)在單板上增加共模電感來(lái)實(shí)現(xiàn),或者在電纜上注塑磁環(huán)。輸入AC線的L線的長(zhǎng)度盡量短;

屏蔽設(shè)備內(nèi)部,孔縫附近是否有干擾源;結(jié)構(gòu)件搭接處是否噴有絕緣漆,采用砂布將絕緣漆擦掉,作比較試驗(yàn)。檢查接地螺釘是否噴有絕緣漆,是否接地良好。


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